一如之前預告的那樣，三星在今天正式宣布了 3nm 工藝量產，這意味著三星在新一代工藝上搶先了臺積電量產，并且首次量產 GAA 晶體管工藝，技術上也是全面壓制了臺積電，后者要到 2nm 節點才會用上 GAA 工藝。

　　根據三星所說，在 3nm 芯片上，其放棄了之前的 FinFET 架構，采用了新的 GAA 晶體管架構，大幅改善了芯片的功耗表現。

　　與 5nm 相比，第一代 3nm 工藝能夠降低 45% 的功耗，減少 16% 的面積，并同時提升 23% 的性能，第二代的 3nm 工藝可以降低 50% 的功耗，提升 30% 的性能，同時面積減少 35%，效果更好。

　　對于三星搶先量產 3nm GAA 工藝，韓國媒體及專家自己表態積極，但臺灣的分析師態度就不一樣了，工研院產科國際所研究總監楊瑞臨認為三星就是趕鴨子上架。

　　之所以這么評價，楊瑞臨認為 GAA 晶體管生態目前完全沒有成熟，相關的蝕刻及測量問題還沒有解決，材料、化學品也要提升。

　　此外，他不看好三星 3nm GAA 工藝的原因還跟成本有關，認為三星現在這樣做會增加成本，交付期延長，良率提升慢，品控也不見得好，進而導致三星難以對客戶報價，目前 3nm GAA 工藝只有三星自己在用，不會有外部的客戶使用。
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