科學家正在努力，希望開發出下一代數據存儲材料，以提高現有存儲速度。

　　據英國《自然·物理學》雜志近日發表的一項研究，一個美國聯合研究團隊利用層狀二碲化鎢制成了二維(2D)金屬芯片，其厚度僅三個原子，其可代替硅芯片存儲數據，且比硅芯片更密集、更小、更快，也更節能，同時儲存速度提高了 100 倍之多。

　　研究人員對二碲化鎢薄層結構施加微小電流，使其奇數層相對于偶數層發生穩定的偏移，并利用奇偶層的排列來存儲二進制數據。數據寫入后，他們再通過一種稱為貝利曲率的量子特性，在不干擾排列的情況下讀取數據。

　　與現有的基于硅的數據存儲系統相比，新系統具有巨大優勢——它可以將更多的數據填充到極小的物理空間中，并且非常節能。此外，其偏移發生得如此之快，以至于數據寫入速度可以比現有技術快 100 倍。

　　對超薄層進行非常小的調整，就會對它的功能特性產生很大的影響，而人們可以利用這一知識來設計新型節能設備，以實現可持續發展和更智慧的未來存儲方式。
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