3nm 時代，三星選擇采用環繞柵極 (GAAFET) 晶體管架構打造 3nm 芯片，而臺積電則延續了鰭式場效應管(FinFET)的方案，預計臺積電 3nm(N3)芯片將于今年下半年投產。

　　臺灣《經濟日報》稱，雖然在 3nm 世代略有保守，但無論如何，鰭片 (Fin) 寬度都已經接近實際極限，再向下就會遇到瓶頸，所以外資法人預估臺積電 2nm 先進制程將采用環繞式閘極場效電晶體 GAAFET 高端架構生產 2nm 芯片。

　　根據臺積電官網顯示，臺積電將持續與全球 16 家 EDA 廠商組成電子設計自動化聯盟，其中就包括全球前 5 大 EDA 廠商。

　　美系外資法人指出，臺積電在先進制程的 EDA 軟件工具方面與美國廠商關系非常密切，其多數高端設備與 IP 不僅由美商供應，另外科磊(KLA)制程監控設備以及 ASML 的極紫外光 EUV 光刻機，也很難由日本、歐洲、甚至中國廠商取代。

　　外資法人表示，未來 5 年至 10 年，全球先進晶圓制程仍將以美系 EDA 軟件(目前主要是新思科技、益華電腦以及西門子)和矽智財 IP 為核心，設計或制造芯片。

　　盡管 EDA 工具高度集中在美國企業名下，不過其他大廠在 EDA 方面并未缺席，例如聯發科 5 月上旬與臺大電資學院及至達科技合作，將 AI 人工智慧技術應用于 IC 設計，帶動 EDA 智能化發展。

　　鴻海集團也同樣正在積極布局半導體芯片設計，旗下工業富聯在 7 月中旬透露他們正布局半導體鎖定先進封裝、測試、裝備及材料、電子設計自動化軟件、芯片設計等領域。

　　亞系外資法人指出，2020 年全球 EDA 市場規模約 115 億美元，預估今年規模逼近 134 億美元，盡管規模不大，卻直接關系著全球超過 6000 億美元規模的半導體產業、以及全球數十兆美元規模的數字經濟發展。

　　對于芯片需求前景，臺積電稱其 2023 年的增長將由先進技術支撐，高性能計算(HPC)將成為長期增長的主要引擎。公司目前預計 2023 年產能利用率將保持良好。

　　在下一代芯片投產時間點方面，臺積電強調 3nm(N3)芯片將于今年下半年投產，明年上半年貢獻營收。IT之家提醒，臺積電的 3nm 工藝有眾多衍生版本，包括 N3、N3P、N3S、N3X、N3E，將會陸續在未來兩三年內量產。

　　對于 2nm 芯片(N2)，臺積電重申其將于 2025 年實現量產。2nm 芯片是臺積電的一個重大節點，該工藝將會采用納米片晶體管(Nanosheet)，取代鰭式場效應晶體管(FinFET)，這意味著臺積電工藝正式進入 GAA 晶體管時代。其中，2nm 芯片相較于 3nm 芯片，在相同功耗下，速度快 10~15%。在相同速度下，功耗降低 25~30%。

　　財報顯示，臺積電第二季度 5nm 制程晶圓出貨量占據公司營收的 21%(前季 20%)，7nm 制程晶圓出貨量占據公司營收的 30%(前季 30%)，本季度 5nm 制程工藝營收繼續提升，但還未超過 7nm 制程工藝帶來的營收。此外，臺積電先進制程 (7nm 及更先進制程) 營收總占比達到 51%，較前季的 50% 繼續擴大。
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