三星今日宣布采用 12 納米 (nm) 級(jí)工藝技術(shù)，開(kāi)發(fā)出其容量最大的 32Gb DDR5 DRAM，在相同封裝尺寸下，容量是 16Gb 內(nèi)存模組的兩倍。

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　　三星電子存儲(chǔ)器事業(yè)部?jī)?nèi)存開(kāi)發(fā)組執(zhí)行副總裁 SangJoon Hwang 表示：在三星最新推出的 12 納米級(jí) 32Gb 內(nèi)存的基礎(chǔ)上，三星可以研發(fā)出實(shí)現(xiàn) 1TB 內(nèi)存模組的解決方案，這有助于滿足人工智能和大數(shù)據(jù)時(shí)代對(duì)于大容量 DRAM 內(nèi)存日益增長(zhǎng)的需求。

　　IT 之家附三星 12 納米級(jí) 32Gb DDR5 DRAM 產(chǎn)品介紹如下：

　　通過(guò)使用最新開(kāi)發(fā)的 32Gb 內(nèi)存顆粒，即使不使用硅通孔 (TSV) 工藝也能夠生產(chǎn) 128GB 內(nèi)存模組。與使用 16Gb 內(nèi)存封裝的 128GB 內(nèi)存模組相比，其功耗降低了約 10%。這一技術(shù)突破使該產(chǎn)品成為數(shù)據(jù)中心等關(guān)注能效的企業(yè)的優(yōu)選解決方案。

　　以 12 納米級(jí) 32Gb DDR5 DRAM 為基礎(chǔ)，三星計(jì)劃繼續(xù)擴(kuò)充大容量?jī)?nèi)存產(chǎn)品陣容，以滿足高性能計(jì)算和 IT 行業(yè)持續(xù)增長(zhǎng)的需求。通過(guò)向數(shù)據(jù)中心，以及采用人工智能和下一代計(jì)算等應(yīng)用的客戶提供 12 納米級(jí)的 32Gb 內(nèi)存，三星希望鞏固其在下一代內(nèi)存市場(chǎng)的前沿地位。未來(lái)，該產(chǎn)品還將在三星與其他核心行業(yè)伙伴的長(zhǎng)期合作中發(fā)揮至關(guān)重要的作用。

　　全新 12 納米級(jí) 32Gb DDR5 DRAM 計(jì)劃于今年年底開(kāi)始量產(chǎn)。
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