據意法半導體官微消息，該公司與理想汽車簽署了一項碳化硅(SiC)長期供貨協議。按照協議，意法半導體將為理想汽車提供碳化硅 MOSFET，支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰略部署。

　　據介紹，意法半導體的碳化硅具有更高的開關頻率、擊穿電壓和熱阻，可以顯著提高功率晶體管的性能和能效，這些特性在純電車的高電壓環境中非常重要。理想汽車即將推出的 800V 高壓純電平臺將在電驅逆變器中采用意法半導體的第三代 1200V SiC MOSFET 技術。

　　理想汽車供應鏈副總裁孟慶鵬表示：

　　理想汽車致力于為家庭用戶提供超預期的豪華電動車。本次與 ST 的 SiC 供貨協議簽署印證了理想汽車開發純電動車產品的堅定決策。我們看好與全球碳化硅技術龍頭 ST 的未來合作，這必將是一段創新和成功的合作關系。

　　意法半導體執行副總裁、中國區總裁曹志平表示：

　　意法半導體是全球功率半導體和寬禁帶技術的龍頭企業，也是多家知名汽車制造商和一級供應商的長期供貨商。我們與理想汽車簽署的碳化硅供應協議標志著雙方在其他汽車應用的長期合作基礎上，又邁出了重要一步。ST 承諾支持理想汽車成為中國高端新能源汽車龍頭品牌，通過我們 SiC 創新技術為用戶提供卓越的汽車性能和續航里程。

　　在今年 6 月舉行的理想汽車召開理想家庭科技日發布會上，理想汽車發布了 800V 高壓平臺 5C 電池，充電峰值功率超過 500kw，9 分 30 秒續航 400 公里，充電 22 分鐘續航 600 公里;5C 快充采用低內阻電芯，產熱降低 30%。

　　理想汽車還宣布，2023 年底前完成建設 300 + 個超級充電站，2025 年完成建設 3000 + 個超充站。2025 年，超充站點之間平均間隔 100 公里，單個站點每小時可以服務 9-20 輛車。