近日，荷蘭光刻機巨頭 ASML 公司宣布，優先向 Intel 公司交付其新型高數值孔徑(High NA EUV)的極紫外光刻機。

　　據悉，每臺新機器的成本超過 3 億美元，可幫助計算機芯片制造商生產更小、更快的半導體。

　　ASML 官方社交媒體賬號發布了一張現場照片。圖可以看到，光刻機的一部分被放在一個保護箱中。箱身綁著一圈紅絲帶，正準備從其位于荷蘭埃因霍溫的總部發貨。

　　"耗時十年的開創性科學和系統工程值得鞠一躬!我們很高興也很自豪能將我們的第一臺高數值孔徑的極紫外光刻機交付給 Intel。"ASML 公司說道。

　　據了解，高數值孔徑的極紫外光刻機組裝起來比卡車還大，需要被分裝在 250 個單獨的板條箱中進行運輸，其中包括 13 個大型集裝箱。

　　據估計，該光刻機將從 2026 年或 2027 年起用于商業芯片制造。

　　公開資料顯示，NA 數值孔徑是光刻機光學系統的重要指標，直接決定了光刻的實際分辨率，以及最高能達到的工藝節點。

　　一般來說，金屬間距縮小到 30nm 以下之后，也就是對應的工藝節點超越 5nm，低數值孔徑光刻機的分辨率就不夠了，只能使用 EUV 雙重曝光或曝光成形(pattern shaping)技術來輔助。

　　這樣不但會大大增加成本，還會降低良品率。因此，更高數值孔徑成為必需。

　　ASML 9 月份曾宣布，將在今年底發貨第一臺高數值孔徑 EUV 光刻機，型號"Twinscan EXE:5000"，可制造 2nm 工藝乃至更先進的芯片。